世界氮化镓大会由GaNFET.com网站每年固定于世界氮化镓日（7月31日）举办。GaN 2026将由GaNFET.com主办，服务器电源网、功率之心协办，于2026年7月31日全程直播。
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镓未来IP与技术合作总监张大江先生将带来主题演讲：GaN器件赋能12kW PSU：高效率、高功率密度的实现路径。诚邀行业同仁莅临交流洽谈，共研氮化镓技术前沿风向，聚力共创半导体产业新机！
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张大江先生系清华大学电子信息工程学士，现任珠海镓未来科技有限公司IP与技术合作总监、市场总监，近二十年深耕半导体行业，具备从器件研发到产业化落地的全流程经验。
曾任职美国AOS，主导40V-150V SGT MOSFET及PD快充同步整流产品线定义，多款产品进入华为、小米、OPPO、SONY等头部客户供应链；主导华为SCP快充MOSFET技术攻关，获AOS CEO"特别贡献奖"。规划6.6kW车载OBC用650V SiC方案，成果应用于上汽、比亚迪等车企。
现任职镓未来科技，全面负责GaN分立器件及功率IC的技术路线制定、核心突破与产业化转化，重点推动GaN在功率IC和系统集成方向的研发。拥有15项国家专利，涵盖器件结构、封装工艺、导通控制等关键环节。曾任融合快充协议标准技术组成员、中国电子学会绿色计算机标准工作组委员，积极参与GaN标准制定与产业推广。
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本次演讲主要介绍面向AI数据中心的12kW PSU全链路GaN部署方案。PFC级采用6颗G2N65R023TP-H，零反向恢复特性使三相交错图腾柱拓扑成为可能，配合Power Shedding技术优化轻载效率。
DC Bus级采用2颗G2E65R009TM-H，高频开关实现Baby Buck-Boost主动能量管理，电解电容降至传统方案1/3。LLC级采用6颗G2N65R015QD-N，高频软开关降低磁件体积，三相交错抑制输出纹波。
GaN低FOM优值支撑68mm窄机身、>90W/in³功率密度及97.3%效率，DVT阶段将突破97.5%目标。
【大会主题】
2026世界氮化镓大会
【大会主办】
GaNFET.com
【大会协办】
服务器电源网、功率之心
【大会时间】
7月31日（周五）14:00-18:00
【报名方式】
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