世界氮化镓大会由GaNFET.com网站每年固定于世界氮化镓日（7月31日）举办。GaN 2026将由GaNFET.com主办，服务器电源网、功率之心协办，于2026年7月31日全程直播。
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英诺赛科应用工程部技术经理张桢先生将带来主题演讲：从Si到GaN：助力 AIDC 供电架构全面升级。诚邀行业同仁莅临交流洽谈，共研氮化镓技术前沿风向，聚力共创半导体产业新机！
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张桢先生，浙江大学电力电子与电力传动专业博士学位，在与数据中心相关的功率变换器拓扑、磁元件设计以及模块电源设计等方面具有丰富的理论基础和实践经验。
现任英诺赛科应用工程部技术经理一职，主要负责氮化镓器件在数据中心领域的电源应用开发与客户技术支持。
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在港交所上市（股票代码：02577.HK），英诺赛科（Innoscience）是GaN工艺创新与功率器件制造领域的全球领导者。该公司的器件设计与性能为全球GaN技术树立了标杆。英诺赛科（Innoscience）持续迭代与创新的文化加速了GaN解决方案的性能提升与市场应用。
英诺赛科（Innoscience）的GaN产品覆盖从15V到1200V的广泛范围，服务于低压、中压和高压应用。英诺赛科（Innoscience）通过提供外延片、分立器件、集成电源IC和模块等产品，为客户提供强大且可靠的氮化镓解决方案，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源和工业电源系统等多元化领域。
【大会主题】
2026世界氮化镓大会
【大会主办】
GaNFET.com
【大会协办】
服务器电源网、功率之心
【大会时间】
7月31日（周五）14:00-18:00
【报名方式】
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